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                        半導體的電阻率較大(約10-5ρ107W×m),而金屬的電阻率則很?。s10-8~10-6W×m),絕緣體的電阻率則很大(約ρ3108W×m)。半導體的電阻率對溫度的反應靈敏,例如鍺的溫度從200C升高到300C,電阻率就要降低一半左右。金屬的電阻率隨溫度的變化則較小,例如銅的溫度每升高1000C,ρ增加40%左右。電阻率受雜質的影響顯著。金屬中含有少量雜質時,看不出電阻率有多大的變化,但在半導體里摻入微量的雜質時,卻可以引起電阻率很大的變化,例如在純硅中摻入百萬分之一的硼,硅的電阻率就從2.14103W×m減小到0.004W×m左右。金屬的電阻率不受光照影響,但是半導體的電阻率在適當的光線照射下可以發生顯著的變化。目前太陽能行業,通過實踐中發現,當電阻率在1~3W×m時,最終的產品是最高效的。           
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