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          硅單晶電阻率標準片(以下簡稱標準樣片)是用高純多晶硅,經過單晶設備,再經中子嬗變摻雜等多種工藝制造的,具有一定幾何尺寸的實物標準.由不確定度已知的標準裝置,對該實物標準的電阻率及其他指標給予標定,使用時以標準樣片為準,對相關參數進行量值傳遞。

           

          合格指標      樣片級別

           

          項目

          國家標準樣片

          一級標準樣片

          二級標準樣片

              

          40 75±1% mm

          40 75±1% mm

          25 100±2% mm

            

          W1.0mm

          W1.0mm

          W1.0mm

          標稱值偏差

          0.01Ω.cm 500Ω.cm

          ±5%

          ±10%

          ±15%

          中心點電阻率重復率(2σ

          0.3%

          0.4%

          0.8%

          徑向電阻率不均勻度

          3%

          4%

          8%

           

           

          合格指標      樣片級別

           

          國家標準樣片

          一級標準樣片

          二級標準樣片

          年穩定度

          40 75±1% mm

          40 75±1% mm

          25 100±2% mm

          擴展不確定度(包含因子 k=2)

          ±1.0%

          ±1.5%

          ±2.5%

          備注:電阻率大于500Ω.cm和電阻率為0.005Ω.cm的電阻率標準樣片標稱值偏差為±15%,中心電阻率重復性為0.8%2σ,擴展不確定度為2.0%,二級標準樣片,中心電阻率重復性為1.0%(2σ,擴展不確定度為3.0%

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